Intel представила 3D транзисторы

Intel объявила о создании революционной технологии создания транзисторов. В будущем в своих процессорах компания будет использовать транзисторы "с трехмерной структурой затвора", изготовленные по технологии 3-D Tri-Gate.
По данным Intel, процессоры с 3-D Tri-Gate транзисторами, выполненные по 22-нм техпроцессу, будут иметь производительность на 37 процентов больше, чем у 32-нм процессоров, созданных по обычной планарной технологической схеме. У них на 50 процентов снизится энергопотребление, а трехмерная структура позволит транзисторам быстрее переключаться между рабочими состояниями.
Впервые трехмерные транзисторы появятся в серийных процессорах Ivy Bridge, выполненных по 22-нанометровым топологическим нормам. Их массовое производство намечено на конец 2011 года, а в продаже они появятся в начале следующего года.
В дальнейшем компания собирается использовать новую технологию и в производстве мобильных процессоров серии Atom. Высокая энергоэффективность чипов на инновационных транзисторах значительно увеличит время автономной работы мобильных устройств.

В летний сезон особенно остро встаёт вопрос поддержания комфортного микроклимата, особенно в Сочи. Кондиционеры в Сочи последних моделей стало возможным приобрести через интернет-магазин.

Комментарии

Отправить комментарий

Содержание этого поля является приватным и не предназначено к показу.
CAPTCHA
This question is for testing whether you are a human visitor and to prevent automated spam submissions.
Image CAPTCHA
Введите символы (без пробелов) с картинки